参数资料
型号: IXTH16P60P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
产品目录绘图: TO-247AD 3-Leads
标准包装: 30
系列: PolarP™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 720 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 92nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5120pF @ 25V
功率 - 最大: 460W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXTH16P60P
IXTT16P60P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXYS REF: T_16P60P (B7) 6-03-08
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PDF描述
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参数描述
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IXTH17N60 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR
IXTH17N65 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR
IXTH17P25 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR
IXTH180N085T 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube