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参数资料
| 型号： | IXTH182N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 182A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 182A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH182N055T
IXTQ182N055T
270
Fig. 7. Input Admittance
140
Fig. 8. Transconductance
240
120
T J = - 40oC
210
180
150
120
T J = -40oC
25oC
125oC
100
80
60
25oC
150oC
90
40
60
30
0
20
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
270
240
210
180
9
8
7
6
V DS = 27.5V
I D = 25A
I G = 10mA
150
120
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
5
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit @ V GS = 10V
1,000
C oss
100
25μs
100μs
1ms
100
C rss
10
T J = 175oC
T C = 25oC
DC
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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