参数资料
型号: IXTH182N055T
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 55V 182A TO-247
标准包装: 30
系列: TrenchMV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 182A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4850pF @ 25V
功率 - 最大: 360W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXTH182N055T
IXTQ182N055T
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.00
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width - Second
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_182N055T (4V) 6-01-06-A.xls
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