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参数资料
| 型号： | IXTH28N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 散装 |
IXTH 28N50Q
IXTT 28N50Q
28
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
70
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
V G S = 10V
7V
60
V G S = 10V
8V
21
6V
50
7V
40
14
30
6V
7
0
5V
20
10
0
5V
0
1
2
3 4
V DS - Volts
5
6
7
0
5
10 15
V D S - Volts
20
25
28
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
3.1
21
V G S = 10V
7V
6V
2.8
2.5
V G S = 10V
2.2
14
7
5V
1.9
1.6
1.3
1
I D = 28A
I D = 14A
0.7
0
0.4
0
2
4
6 8 10
V DS - Volts
12
14
16
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
3.4
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D25
Value vs. I D
30
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
3
2.6
2.2
V G S = 10V
T J = 125 o C
25
20
15
1.8
1.4
1
0.6
T J = 25 o C
10
5
0
0
14
28
42
56
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH2R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 |
| IXTH30N25 | MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 |
| IXTH30N50P | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| IXTH30N50 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH2N170D2 | 功能描述:MOSFET N-channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH2R4N120P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH300N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N25 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247AD |
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