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参数资料
| 型号： | IXTH28N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 28A TO-247 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 散装 |
IXTH 28N50Q
IXTT 28N50Q
56
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
49
42
35
50
40
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
28
21
T J = -40 o C
25 o C
30
20
14
7
0
125 o C
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
14
28
42
56
70
84
84
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
V D S = 250V
70
8
I D = 14A
I G = 10mA
56
6
42
28
14
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
f = 1M Hz
C iss
1000
100
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH2R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 |
| IXTH30N25 | MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 |
| IXTH30N50P | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| IXTH30N50 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| IXTH360N055T2 | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH2N170D2 | 功能描述:MOSFET N-channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH2R4N120P | 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH300N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N25 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247AD |
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