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参数资料
| 型号： | IXTH2R4N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1207pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA2R4N120P IXTP2R4N120P
IXTH2R4N120P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max
TO-220 (IXTP) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 18 Ω (External)
1.2
2.0
1207
57
11.2
22
25
70
32
37
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
6
20
nC
nC
Pins:
1 - Gate
2 - Drain
R thJC
R thCS
(TO-220)
(TO-247)
0.50
0.21
1.0 ° C/W
° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
2.4 A
7.2 A
V SD
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
1.5 V
TO-247 (IXTH) Outline
t rr
I F = 2.4A, -di/dt = 100A/ μ s,
V R = 100V, V GS = 0V
920
ns
1
2
3
?P
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
Terminals: 1 - Gate 2 - Drain
TO-263 (IXTA) Outline
3 - Source
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
L1
? P
Q
R
S
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065B1
6,683,344
6,727,585 7,005,734B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123B1
6,306,728B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692 7,063,975B2
6,771,478B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH30N25 | MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 |
| IXTH30N50P | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| IXTH30N50 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| IXTH360N055T2 | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 |
| IXTH36P10 | MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH300N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N25 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247AD |
| IXTH30N50 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N50L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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