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参数资料
| 型号： | IXTH2R4N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1207pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA2R4N120P IXTP2R4N120P
IXTH2R4N120P
2.8
Fig. 7. Input Admittance
4.0
Fig. 8. Transconductance
2.4
3.6
3.2
T J = - 40oC
2.0
2.8
1.6
2.4
25oC
1.2
T J = 125oC
25oC
2.0
1.6
125oC
- 40oC
0.8
1.2
0.8
0.4
0.4
0.0
0.0
3.2
3.6
4.0
4.4
4.8
5.2
5.6
6.0
6.4
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
8
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
7
6
5
4
9
8
7
6
5
V DS = 600V
I D = 1.2A
I G = 10mA
3
T J = 125oC
4
3
2
1
0
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
10.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
f = 1 MHz
Ciss
1000
1.00
100
Coss
0.10
10
Crss
1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_2R4N120P(3C) 4-02-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH30N25 | MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 |
| IXTH30N50P | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| IXTH30N50 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| IXTH360N055T2 | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 |
| IXTH36P10 | MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH300N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N25 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247AD |
| IXTH30N50 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH30N50L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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