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参数资料
| 型号： | IXTH3N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarVHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA3N100P IXTP3N100P
IXTH3N100P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max
TO-220 (IXTP) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 18 Ω (External)
1.5
2.4
1100
70
14.5
22
27
75
29
39
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
6
20
nC
nC
Pins:
1 - Gate
2 - Drain
R thJC
R thCS
(TO-220)
(TO-247)
0.50
0.21
1.0 ° C/W
° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
3
9
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
1.5 V
TO-247 (IXTH) Outline
t rr
I F = 3A, -di/dt = 100A/ μ s,
V R = 100V, V GS = 0V
820
ns
1
2
3
?P
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
TO-263 (IXTA) Outline
Terminals: 1 - Gate 2 - Drain
3 - Source
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
L1
? P
Q
R
S
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065B1
6,683,344
6,727,585 7,005,734B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123B1
6,306,728B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692 7,063,975B2
6,771,478B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH3N120 | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 |
| IXTH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| IXTH41N25 | MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A |
| IXTH440N055T2 | MOSFET N-CH 55V 440A TO-247 |
| IXTH450P2 | MOSFET N-CH 500V 16A TO247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH3N120 | 功能描述:MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH3N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH40N25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH40N30 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH40N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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