- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录462 > IXTH3N100P (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTH3N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarVHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA3N100P IXTP3N100P
IXTH3N100P
4.0
3.5
3.0
Fig. 7. Input Admittance
4.5
4.0
3.5
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
3.0
25oC
2.5
T J = 125oC
25oC
2.5
2.0
- 40oC
2.0
125oC
1.5
1.0
0.5
0.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
9
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
8
7
9
8
V DS = 500V
I D = 1.5A
I G = 1mA
7
6
6
5
4
3
2
1
0
T J = 125oC
T J = 25oC
5
4
3
2
1
0
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10,000
1,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
10.00
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
100
10
Coss
Crss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_3N100P(3C)4-03-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH3N120 | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 |
| IXTH40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD |
| IXTH41N25 | MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A |
| IXTH440N055T2 | MOSFET N-CH 55V 440A TO-247 |
| IXTH450P2 | MOSFET N-CH 500V 16A TO247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH3N120 | 功能描述:MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH3N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH40N25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH40N30 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH40N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。