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参数资料
| 型号： | IXTH60N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 60A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 60N10
IXTT 60N10
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-247 AD Outline
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
30
45
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
3200
510
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
180
20
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
20
ns
t d(off)
R G = 3.3 ? (External)
70
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
18
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
110
18
48
nC
nC
nC
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
R thJC
R thCK
(TO-247)
0.25
0.42
K/W
K/W
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
D 20.80 21.46
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
I S V GS = 0V
Ratings and Characteristics
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
60 A
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
TO-268 Outline
.170 .216
242 BSC
I SM
V SD
t rr
Q rr
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 30A, -di/dt = 100 A/μs, V R = 100V
150
3
240
1.5
A
V
ns
μ C
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
Min Recommended Footprint
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
3 - Source
Tab - Drain
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH60N15 | MOSFET N-CH 150V 60A TO-247 |
| IXTH60N25 | MOSFET N-CH 250V 60A TO-247 |
| IXTH6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 6A TO247 |
| IXTH6N120 | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD |
| IXTH6N150 | MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH60N15 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 150V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH60N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH60N25 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.046 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH60N30T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH62N25T | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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