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参数资料
| 型号： | IXTH6N90A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 6A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 6N90
IXTM 6N90
IXTH 6N90A
IXTM 6N90A
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
TO-247 AD (IXTH) Outline
min. typ. max.
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25 , pulse test
4
6
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
2600
180
pF
pF
1
2
3
C rss
45
pF
t d(on)
35
100
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
40
110
ns
t d(off)
R G = 4.7 ?, (External)
100
200
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
60
100
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
88
130
nC
Min. Max. Min. Max.
A 4.7 5.3 .185 .209
A 1
A 2
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
21
38
0.25
30
70
0.7
nC
nC
K/W
K/W
2.2 2.54 .087 .102
2.2 2.6 .059 .098
b 1.0 1.4 .040 .055
b 1
1.65 2.13 .065 .084
b 2
2.87 3.12 .113 .123
C .4 .8 .016 .031
D 20.80 21.46 .819 .845
E 15.75 16.26 .610 .640
e 5.20 5.72 0.205 0.225
L 19.81 20.32 .780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L1 4.50 .177
? P 3.55 3.65 .140 .144
Q 5.89 6.40 0.232 0.252
R 4.32 5.49 .170 .216
S 6.15 BSC 242 BSC
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
6
24
A
A
V SD
t rr
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
900
1.5
V
ns
TO-204AA (IXTM) Outline
Pins
1 - Gate 2 - Source
Case - Drain
Dim.
Millimeter
Inches
Min.
Max.
Min.
Max.
A
A1
? b
? D
e
e1
6.4 11.4
3.42
.97 1.09
22.22
10.67 11.17
5.21 5.71
.250 .450
.135
.038 .043
.875
.420 .440
.205 .225
L 7.93
? p 3.84 4.19
? p 1 3.84 4.19
q 30.15 BSC
R 13.33
R1 4.77
s 16.64 17.14
.312
.151 .165
.151 .165
1.187 BSC
.525
.188
.655 .675
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH72N20 | MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 |
| IXTH75N15 | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 |
| IXTH76N25T | MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 |
| IXTH88N15 | MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD |
| IXTH8P50 | MOSFET P-CH 500V 8A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH72N20 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH72N20T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH72N30T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH74N15T | 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH75N08 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-218VAR |
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