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参数资料
| 型号： | IXTK120N25 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 730W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXTK 120N25
120
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
220
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
V GS = 10V
7V
6V
5V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
10
0
20
0
0
0.5
1 1.5
V D S - Volts
2
2.5
0
1
2
3
4 5 6
V D S - Volts
7
8
9
10
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
120
110
100
90
80
V GS = 10V
7V
6V
2.6
2.4
2.2
2
1.8
V GS = 10V
70
60
50
40
5V
1.6
1.4
1.2
I D = 120A
I D = 60A
30
20
10
0
1
0.8
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.4
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
130
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200 220
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK128N15 | MOSFET N-CH 150V 128A TO-264 |
| IXTK140N20P | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 |
| IXTK150N15P | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| IXTK160N20 | MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 |
| IXTK180N15P | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK120N25P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK120P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK128N15 | 功能描述:MOSFET 128 Amps 150V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK140N20P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK140N30P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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