- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录463 > IXTK180N15 (IXYS)MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTK180N15 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXTK 180N15
Symbol
Test Conditions
Characteristic values
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min.
Typ. Max.
TO-264 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
R G = 1.0 ? (External)
65
110
9200
2525
950
30
40
120
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
35
ns
Dim.
Millimeter
Min.
Max.
Min.
Inches
Max.
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
390
60
170
nC
nC
nC
A
A1
A2
b
b1
b2
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
c
0.53 0.83
.021 .033
R thJC
0.17 K/W
D
E
25.91 26.16
19.81 19.96
1.020 1.030
.780 .786
R thCK
0.15
K/W
e
J
5.46 BSC
0.00 0.25
.215 BSC
.000 .010
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
(T J = 25°C unless otherwise specified)
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
V GS = 0V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25A, -di/dt = 100 A/μs, V R = 100V
200
3
180
720
1.5
A
A
V
ns
μ C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK200N10L2 | MOSFET 100V 200A TO-264 |
| IXTK200N10P | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 |
| IXTK21N100 | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
| IXTK22N100L | MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 |
| IXTK250N10 | MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK200N10L2 | 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK200N10P | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK20N140 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK20N150 | 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。