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参数资料
| 型号： | IXTK600N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 600A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 590nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK600N04T2
IXTX600N04T2
350
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
400
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
300
250
200
V GS = 15V
10V
7V
6V
350
300
250
V GS = 15V
10V
7V
6V
5V
200
150
100
50
5V
4.5V
150
100
50
4.5V
4V
4V
0
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
350
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
2.0
V DS - Volts
Fig. 4. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
300
250
V GS = 15V
10V
7V
1.8
1.6
V GS = 10V
I D < 600A
6V
200
150
5V
1.4
1.2
100
50
0
4V
3V
1.0
0.8
0.6
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.0
V DS - Volts
Fig. 5. Normalized R DS(on) vs. Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
1.8
V GS = 10V
15V
160
External Lead Current Limit
140
1.6
T J = 175oC
120
100
1.4
80
1.2
T J = 25oC
60
40
1.0
20
0.8
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK60N50L2 | MOSFET N-CH 60A 500V TO-264 |
| IXTK62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A TO-264 |
| IXTK75N30 | MOSFET N-CH 300V 75A TO-264 |
| IXTK80N25 | MOSFET N-CH 250V 80A TO-264 |
| IXTK82N25P | MOSFET N-CH 250V 82A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK60N50L2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK62N25 | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK74N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current MegaMOSFET |
| IXTK75N30 | 功能描述:MOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK80N25 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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