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参数资料
| 型号： | IXTK600N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 600A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 600A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 590nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK600N04T2
IXTX600N04T2
90
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Junction Temperature
100
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Drain Current
80
70
60
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
90
80
70
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
T J = 125oC
50
I
D
= 200A
60
50
40
30
20
I
D
= 100A
40
30
20
T J = 25oC
10
0
10
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
600
140
400
160
500
400
300
200
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 200A
I D = 100A
120
100
80
60
350
300
250
200
150
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 100A
I D = 200A
150
140
130
120
110
100
100
100
40
50
90
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
80
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
400
200
800
800
350
300
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
180
160
700
600
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 200A, 100A
700
600
250
200
140
120
500
400
500
400
T J = 125oC, 25oC
150
100
50
0
100
80
60
40
300
200
100
0
300
200
100
0
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK60N50L2 | MOSFET N-CH 60A 500V TO-264 |
| IXTK62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A TO-264 |
| IXTK75N30 | MOSFET N-CH 300V 75A TO-264 |
| IXTK80N25 | MOSFET N-CH 250V 80A TO-264 |
| IXTK82N25P | MOSFET N-CH 250V 82A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK60N50L2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK62N25 | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK74N20 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current MegaMOSFET |
| IXTK75N30 | 功能描述:MOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK80N25 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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