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参数资料
型号： IXTK600N04T2
厂商： IXYS
文件页数： 6/6页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 40V 600A TO-264
标准包装： 25
系列： TrenchT2™ GigaMOS™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 600A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 1.5 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 590nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 40000pF @ 25V
功率 - 最大： 1250W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264
包装： 管件
IXTK600N04T2
IXTX600N04T2
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
0.300
0.100
0.010
0.001
.sadgsfgsf
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF:T_600N04T2(V9)11-05-09
相关PDF资料
PDF描述
IXTK60N50L2 MOSFET N-CH 60A 500V TO-264
IXTK62N25 MOSFET N-CH 250V 62A TO-264
IXTK75N30 MOSFET N-CH 300V 75A TO-264
IXTK80N25 MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
IXTK82N25P MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTK60N50L2 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK62N25 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK74N20 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current MegaMOSFET
IXTK75N30 功能描述:MOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK80N25 功能描述:MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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