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参数资料
| 型号： | IXTN22N100L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 11A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXTN22N100L
22
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
45
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
20
V GS = 20V
14V
40
V GS = 20V
14V
18
16
12V
35
14
12
10
8
6
4
2
0
10V
9V
8V
7V
6V
30
25
20
15
10
5
0
12V
10V
9V
8V
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
5
10
15
20
25
30
22
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 11A Value vs.
Junction Temperature
20
18
16
14
12
V GS = 20V
12V
10V
9V
2.8
2.4
2.0
V GS = 20V
I D = 22A
I D = 11A
10
8
6
4
2
8V
7V
6V
1.6
1.2
0.8
0
5V
0.4
0
5
10
15
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 11A Value vs.
Drain Current
V GS = 20V
25
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
T J = 125oC
20
2.2
15
1.8
10
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
5
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
44
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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