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参数资料
| 型号： | IXTN62N50L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 550nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXTN62N50L
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
60
50
40
V GS = 20V
16V
14V
12V
140
120
100
V GS = 20V
16V
14V
80
30
20
10V
9V
60
40
12V
10V
10
0
8V
7V
20
0
9V
8V
7V
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 31A Value vs.
Junction Temperature
60
50
V GS = 20V
14V
12V
2.8
2.4
V GS = 10V
I D = 62A
40
2.0
10V
30
1.6
I D = 31A
20
10
0
9V
8V
7V
6V
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 31A Value vs.
Drain Current
V GS = 20V
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
T J = 125oC
60
50
2.2
40
1.8
T J = 25oC
30
1.4
20
1.0
0.6
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227 |
| IXTP02N50D | MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220 |
| IXTP05N100M | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 |
| IXTP08N120P | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 |
| IXTP100N04T2 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN79N20 | 功能描述:MOSFET 79 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN8N150L | 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN90N25L2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN90P20P | 功能描述:分立半导体模块 -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| IXTP 3N100P | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
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