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参数资料
| 型号： | IXTN62N50L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 550nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 800W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXTN62N50L
100
90
Fig. 7. Input Admittance
30
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
80
70
60
25
20
25oC
125oC
50
T J = 125oC
25oC
15
40
30
20
10
0
- 40oC
10
5
0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
240
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
20
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
18
V DS = 250V
200
160
T J = 25oC
T J = 125oC
16
14
I D = 31A
I G = 10mA
12
120
80
40
0
10
8
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
100,000
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1
0.1
0.01
0.001
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Second
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTN90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227 |
| IXTP02N50D | MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220 |
| IXTP05N100M | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 |
| IXTP08N120P | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 |
| IXTP100N04T2 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN79N20 | 功能描述:MOSFET 79 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN8N150L | 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN90N25L2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN90P20P | 功能描述:分立半导体模块 -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| IXTP 3N100P | 制造商:IXYS 功能描述:Bulk |
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