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参数资料
型号： IXTN62N50L
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
标准包装： 10
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 62A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 100 毫欧 @ 500mA，20V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 550nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 11500pF @ 25V
功率 - 最大： 800W
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装： SOT-227B
包装： 管件
IXTN62N50L
1000
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
1000
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 90oC
R DS(on) Limit
100
25μs
100μs
100
25μs
100μs
1ms
10
10
1ms
10ms
10ms
DC
1
1
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
0.1
T J = 150oC
T C = 90oC
Single Pulse
DC
10
100
1,000
10
100
1,000
V DS - Volts
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_62N50L(9N) 11-04-11-B
相关PDF资料
PDF描述
IXTN90N25L2 MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227
IXTP02N50D MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220
IXTP05N100M MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
IXTP08N120P MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
IXTP100N04T2 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTN79N20 功能描述:MOSFET 79 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTN8N150L 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTN90N25L2 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTN90P20P 功能描述:分立半导体模块 -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
IXTP 3N100P 制造商:IXYS 功能描述:Bulk
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