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参数资料
| 型号： | IXTP05N100M |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 欧姆 @ 375mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 25W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP05N100M
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
ISOLATED TO-220 (I XTP...M )
g fs
C iss
C oss
V DS = 20V, I D = 500mA, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
0.55
0.93
260
22
S
pF
pF
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5
V DSS , I D = 1A
R G = 47 Ω (External)
8
11
19
40
pF
ns
ns
ns
1
2
3
t f
Q g(on)
28
7.8
ns
nC
Q gs
Q gd
R thJC
V GS = 10V, V DS = 0.5
V DSS , I D = 1A
1.4
4.1
nC
nC
5.0 ° C/W
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
I F = 750mA, -di/dt = 100A/ μ s,
V R = 100V, V GS = 0V
710
750
3
1.5
mA
A
V
ns
Notes:1. Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2 %.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP08N120P | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 |
| IXTP100N04T2 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| IXTP10N60PM | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 |
| IXTP12N50PM | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 |
| IXTP130N065T2 | MOSFET N-CH 65V 130A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP05N100P | 功能描述:MOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP06N120P | 功能描述:MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP08N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP08N100P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP08N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Polar™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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