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参数资料
| 型号： | IXTP05N100M |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 欧姆 @ 375mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 25W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP05N100M
Fig. 7. Transconductance
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
1.6
1.4
1.2
T J = - 40oC
25oC
2.4
2.2
2.0
1.8
1.0
0.8
0.6
125oC
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 125oC
0.4
0.6
0.2
0.0
0.4
0.2
0.0
T J = 25oC
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
1,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 500V
I D = 1A
f = 1 MHz
8
7
I G = 1mA
100
Ciss
6
5
4
3
2
1
0
10
1
Coss
Crss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q G - NanoCoulombs
V DS - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
10.0
1.0
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_05N100M(1T)7-29-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP08N120P | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 |
| IXTP100N04T2 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| IXTP10N60PM | MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 |
| IXTP12N50PM | MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 |
| IXTP130N065T2 | MOSFET N-CH 65V 130A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP05N100P | 功能描述:MOSFET Polar Pwr MOSFET 1KV w/reduced Rds(on) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP06N120P | 功能描述:MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP08N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP08N100P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP08N120P | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Polar™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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