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参数资料
| 型号： | IXTP240N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 240A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 240A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA240N055T
IXTP240N055T
200
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
330
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
180
160
140
120
100
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
300
270
240
210
180
150
120
V GS = 10V
8V
7V
6V
60
40
20
0
5V
90
60
30
0
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
200
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 120A Value
vs. Junction Temperature
180
160
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.0
1.8
V GS = 10V
140
120
1.6
I D = 240A
100
80
6V
5V
1.4
1.2
I D = 120A
60
1.0
40
20
0
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.2
2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 120A Value
vs. Drain Current
T J = 175oC
140
120
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
External Lead Current Limit for TO-263 (7-Lead)
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 25oC
100
80
60
40
20
0
External Lead Current Limit for TO-3P, TO-220, & TO-263
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP2R4N50P | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 |
| IXTP300N04T2 | MOSFET N-CH 40V 300A TO-220 |
| IXTP3N50P | MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220 |
| IXTP42N15T | MOSFET N-CH 150V 42A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP24N15T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 150V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP24P085T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP260N055T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP26P10T | 功能描述:MOSFET MOSFET P-CH 200V 26A TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP26P20P | 功能描述:MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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