参数资料
型号: IXTP240N055T
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 55V 240A TO-220
产品目录绘图: TO-220, TO-251
标准包装: 50
系列: TrenchT2™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 240A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.6 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7600pF @ 25V
功率 - 最大: 480W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
IXTA240N055T
IXTP240N055T
270
Fig. 7. Input Admittance
200
Fig. 8. Transconductance
240
210
180
150
180
160
140
120
100
T J = - 40oC
25oC
150oC
120
90
60
30
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
80
60
40
20
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
40
80
120
160
200
240
280
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
270
240
210
180
9
8
7
6
V DS = 27.5V
I D = 25A
I G = 10mA
150
120
90
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
5
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
1,000
100
f = 1 MHz
C oss
C rss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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参数描述
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IXTP24P085T 功能描述:MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP260N055T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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