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参数资料
| 型号： | IXTP300N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 300A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA300N04T2
IXTP300N04T2
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
300
275
250
225
V GS = 15V
10V
9V
8V
350
300
250
V GS = 15V
10V
9V
8V
200
175
150
125
7V
200
150
7V
100
75
50
25
0
6V
5V
100
50
0
6V
5V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 150A Value
vs. Junction Temperature
300
275
250
V GS = 15V
10V
9V
2.0
1.9
1.8
V GS = 10V
225
200
175
8V
7V
1.7
1.6
1.5
1.4
I D = 300A
I D = 150A
150
1.3
125
100
75
50
25
0
6V
5V
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 150A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
T J = 25oC
80
70
60
50
40
30
20
10
0
External Lead Current Limit
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTP30N08MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N10MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N10MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP32N20T | 功能描述:MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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