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参数资料
| 型号： | IXTP300N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 300A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA300N04T2
IXTP300N04T2
30
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
40
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
28
26
R G = 2 ?
V GS = 10V
V DS = 20V
35
T J = 125oC
R G = 2 ?
V GS = 10V
V DS = 20V
24
30
22
I
D
= 200A
25
20
18
16
I
D
= 100A
20
15
T J = 25oC
14
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
120
75
45
55
100
80
60
40
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 200A, 100A
65
55
45
35
40
35
30
25
20
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 100A
I D = 200A
50
45
40
35
30
15
25
20
0
25
15
10
5
20
15
2
4
6
8
10
12
14
16
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
40
60
250
220
36
32
28
24
20
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
T J = 125oC
55
50
45
40
35
225
200
175
150
125
100
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 100A, 200A
200
180
160
140
120
100
75
80
16
12
8
T J = 25oC
30
25
20
50
25
0
60
40
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
2
4
6
8
10
12
14
16
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
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参数描述 |
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| IXTP30N08MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N10MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N10MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP32N20T | 功能描述:MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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