参数资料
型号: IXTP4N80P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
标准包装: 50
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.4 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 750pF @ 25V
功率 - 最大: 100W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
IXTA4N80P
IXTP4N80P
6
Fig. 1. Extended Output Characteristics
@ 25oC
3.5
Fig. 2. Output Characteristics
@ 125oC
5
V GS = 10V
8V
3
V GS = 10V
7V
2.5
4
7V
3
2
6V
2
1.5
1
6V
1
0
0.5
0
5V
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
3
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(on) Normalized to I D = 2A Value
vs. Junction Temperature
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 2A Value
v s. Drain Current
2.8
V GS = 10V
2.4
V GS = 10V
T J = 125oC
2.6
2.4
2.2
2
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 3.6A
I D = 1.8A
1.8
1.6
1.4
1
0.8
0.6
0.4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
4
3.5
3
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
4
3.5
3
I D - Amperes
Fig. 6. Input Admittance
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2.5
2
1.5
1
0.5
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
T C - Degrees Centigrade
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
V GS - Volts
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