参数资料
型号: IXTP4N80P
厂商: IXYS
文件页数: 4/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
标准包装: 50
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.4 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 750pF @ 25V
功率 - 最大: 100W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
IXTA4N80P
IXTP4N80P
7
6
5
4
Fig. 7. Transconductance
T J = - 40oC
T J = 25oC
12
11
10
9
8
7
6
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
3
2
T J = 125oC
5
4
3
T J = 125oC
1
0
2
1
0
T J = 25oC
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
10,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 400V
f = 1 MHz
8
I D = 1.8A
I G = 10mA
1,000
C iss
7
6
5
4
3
2
1
0
100
10
1
C oss
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12 13 14 15
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q G - NanoCoulombs
V DS - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. - Seconds
Pulse W idth
IXYS REF: T_4N80P (3J) 10-23-06.xls
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