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参数资料
| 型号： | IXTP8N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
14
Fig. 7. Input Adm ittance
14
Fig. 8. Trans conductance
12
10
8
12
10
8
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
6
4
2
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
6
4
2
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
2
4
6
8
10
12
14
24
V G S - V olts
Fig. 9. Source Curr e nt vs .
Sour ce -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
20
16
12
8
T J = 125 o C
8
7
6
5
4
3
I D = 4A
I G = 10m A
4
0
T J = 25 o C
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
1000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MH z
C iss
100
10
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Ope r ating Ar e a
R DS(on) Lim it
25μs
100μs
100
C oss
1
DC
1m s
10m s
T J = 150oC
10
C rss
0.1
T C = 25oC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - V olts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P |
| IXTQ110N055P | MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P |
| IXTQ140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P |
| IXTQ14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P |
| IXTQ150N06P | MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP8N50PM | 功能描述:MOSFET 4.6 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP8P25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220 |
| IXTP90N055T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id90 BVdass55 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP90N055T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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