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参数资料
型号： IXTP8N50P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
产品目录绘图： TO-220, TO-251
标准包装： 50
系列： PolarHV™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 800 毫欧 @ 4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1050pF @ 25V
功率 - 最大： 150W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商设备封装： TO-220
包装： 管件
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
Fig. 13. M axim um Trans ie nt The rm al Re s is tance
1.00
0.10
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2006 IXYS All rights reserved
IXYS REF: T_8N50P (37) 03-21-06-A.XLS
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PDF描述
IXTQ102N15T MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P
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IXTQ140N10P MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
IXTQ14N60P MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
IXTQ150N06P MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTP8N50PM 功能描述:MOSFET 4.6 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP8P25 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220
IXTP90N055T 功能描述:MOSFET MOSFET Id90 BVdass55 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP90N055T2 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP90N075T2 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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