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参数资料
| 型号： | IXTQ110N055P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 390W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM
Power MOSFET
IXTA 110N055P
IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 55 V
= 110 A
≤ 13.5 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
55
55
± 20
V
V
V
G
TO-220 (IXTP)
S
(TAB)
V GSM
Tranisent
± 30
V
I D25
I DRMS
I DM
I AR
T C = 25 ° C
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
110
75
250
110
A
A
A
A
G
D S
(TAB)
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
30
1.0
10
mJ
J
V/ns
TO-3P (IXTQ)
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 ?
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
390
-55 ... +175
175
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
S
G = Gate
S = Source
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
M d
Mounting torque
(TO-3P / TO-220)
1.13/10 Nm/lb.in.
International standard packages
Weight
TO-3P
TO-220
TO-263
5.5
4
3
g
g
g
Features
l
l
Unclamped Inductive Switching (UIS)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
55
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
5.5
V
Advantages
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
l
Easy to mount
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
250
μ A
μ A
l
l
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
11
13.5
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99182E(10/05)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P |
| IXTQ14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P |
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| IXTQ160N085T | MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P |
| IXTQ160N10T | MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ110N10P | 功能描述:MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ120N15P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ120N15T | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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