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参数资料
| 型号： | IXTQ110N055P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 390W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
250
Fig. 7. Input Adm ittance
50
Fig. 8. Trans conductance
225
200
T J = -40 o C
25 o C
45
40
175
150
125
100
75
50
25
0
150 o C
35
30
25
20
15
10
5
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
50
100
150
200
250
300
300
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
9
V DS = 22.5V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 55A
I G = 10m A
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1 1.2 1.4
V S D - V olts
1.6
1.8
2
0
10
20
30 40 50
Q G - nanoCoulombs
60
70
80
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. For w ard-Bias
Safe Ope rating Are a
C is s
100
R DS (on) Lim it
25μs
100μs
1000
C os s
10
1m s
10m s
100
f = 1MH z
C rs s
1
T J = 175 o C
T C = 25 o C
DC
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
1
10
V D S - V olts
100
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P |
| IXTQ14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P |
| IXTQ150N06P | MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P |
| IXTQ160N085T | MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P |
| IXTQ160N10T | MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ110N10P | 功能描述:MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ120N15P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ120N15T | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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