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参数资料
| 型号： | IXTQ110N055P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 390W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA 110N055P IXTP 110N055P
IXTQ 110N055P
110
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25 o C
220
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
100
90
80
70
V GS = 10V
9V
8V
200
180
160
140
V GS = 10V
9V
60
50
40
30
20
10
0
7V
6V
5V
120
100
80
60
40
20
0
8V
7V
6V
5V
0
0.2
0.4
0.6 0.8
V D S - V olts
1
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4 5 6
V D S - V olts
7
8
9
10
110
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 150 o C
2.2
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
100
90
80
70
V GS = 10V
9V
8V
2
1.8
V GS = 10V
60
50
40
30
20
10
7V
6V
5V
1.6
1.4
1.2
1
I D = 110A
I D = 55A
0
0.8
0
0.4
0.8
1.2 1.6
V D S - V olts
2
2.4
2.8
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
2.8
Fig. 5. R DS(on) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Dr ain Curr e nt
90
Fig. 6. Drain Curre nt vs . Cas e
Te m pe rature
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10V
V GS = 15V - - - - -
T J = 175 o C
T J = 25 o C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
External Lead C urrent Lim it
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I D - A mperes
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P |
| IXTQ14N60P | MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P |
| IXTQ150N06P | MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P |
| IXTQ160N085T | MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P |
| IXTQ160N10T | MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ110N10P | 功能描述:MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ120N15P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ120N15T | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ120N20P | 功能描述:MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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