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参数资料
| 型号： | IXTQ200N06P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 400A，15V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 200N06P
200
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
V GS = 10V
V GS = 10V
9V
175
150
125
100
75
50
25
0
9V
8V
7V
6V
5V
300
250
200
150
100
50
0
8V
7V
6V
5V
0
0.2
0.4
0.6 0.8
V D S - Volts
1
1.2
1.4
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3
V D S - Volts
3.5
4
4.5
5
200
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
2.2
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
175
150
125
V GS = 10V
9V
8V
2
1.8
1.6
V GS = 10V
I D = 200A
7V
100
1.4
75
50
6V
1.2
1
I D = 100A
25
0
5V
0.8
0.6
0
0.4
0.8
1.2 1.6
V D S - Volts
2
2.4
2.8
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
2.4
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
90
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.2
80
External-Lead Current Limit
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 15V
T J = 175 o C
V GS = 10V
T J = 25 o C
70
60
50
40
30
20
10
0
0
50
100
150 200
I D - Amperes
250
300
350
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ200N075T | MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P |
| IXTQ23N60Q | MOSFET N-CH 600V 23A TO-3P |
| IXTQ24N55Q | MOSFET N-CH 550V 24A TO-3P |
| IXTQ250N075T | MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P |
| IXTQ28N15P | MOSFET N-CH TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N085T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ220N055T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ220N075T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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