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参数资料
| 型号： | IXTQ200N06P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 400A，15V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 200N06P
225
200
175
150
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
80
70
Fig. 8. Transconductance
125
100
75
50
25
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
60
50
40
30
20
10
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
350
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 50V
I D = 100A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
25
50 75 100 125 150
Q G - nanoCoulombs
175
200
100,000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
f = 1MHz
R DS(on) Limit
100μs
10,000
1,000
100
C iss
C oss
C rss
100
10
T J = 175 o C
T C = 25 o C
DC
10ms
1ms
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ200N075T | MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N085T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ220N055T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ220N075T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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