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参数资料
| 型号： | IXTQ42N25P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 84 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA 42N25P IXTP 42N25P
IXTQ 42N25P
45
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25 o C
110
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
40
35
30
25
V GS = 10V
9V
8V
7V
100
90
80
70
60
V GS = 10V
9V
8V
20
50
15
10
5
0
6V
5V
40
30
20
10
0
7V
6V
5V
0
0.5
1
1.5 2
V D S - V olts
2.5
3
3.5
4
0
3
6
9
12 15
V D S - V olts
18
21
24
27
45
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 125 o C
2.8
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
40
35
30
25
20
15
10
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
V GS = 10V
I D = 42A
I D = 21A
0.8
5
0
5V
0.6
0.4
0
1
2
3
4 5
V D S - V olts
6
7
8
9
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
Fig. 6. Drain Curre nt vs . Cas e
4.6
4.2
3.8
3.4
3
0.5 I D25 V alue vs . I D
V GS = 10V
T J = 125oC
45
40
35
30
25
Te m pe rature
2.6
2.2
1.8
20
15
1.4
1
0.6
T J = 25oC
10
5
0
0
10
20
30
40 50 60 70
I D - A mperes
80
90 100 110
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ44N50P | MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P |
| IXTQ460P2 | MOSFET N-CH 500V 24A TO3P |
| IXTQ470P2 | MOSFET N-CH 500V 42A TO3P |
| IXTQ480P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO3P |
| IXTQ50N20P | MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ44N30T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ44N50P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.14 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ44P15T | 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ450P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ460P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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