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参数资料
| 型号： | IXTQ42N25P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 84 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA 42N25P IXTP 42N25P
IXTQ 42N25P
70
Fig. 7. Input Adm ittance
30
Fig. 8. Transconductance
60
50
40
30
27
24
21
18
15
12
T J = -40oC
25oC
125oC
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
9
6
3
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
120
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
105
90
75
60
9
8
7
6
5
V DS = 125V
I D = 21A
I G = 10mA
45
30
15
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
0
10
20 30 40 50
Q G - nanoCoulombs
60
70
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
1000
f = 1MHz
C iss
100
R DS(on) Limit
T J = 150oC
T C = 25oC
C oss
25μs
100μs
100
10
C rss
10
1
DC
1ms
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ44N50P | MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTQ44N50P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.14 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ44P15T | 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ450P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ460P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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