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参数资料
| 型号： | IXTQ50N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA50N25T IXTQ50N25T
IXTP50N25T IXTH50N25T
TO-263 (IXTA) Outline
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
TO-220 (IXTP) Outline
Pins:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
TO-247 (IXTH) Outline
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
A 4.7 5.3
Min. Max.
.185 .209
A 1
A 2
2.2 2.54
2.2 2.6
.087 .102
.059 .098
1
2
3
? P
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
.040 .055
.065 .084
.113 .123
C .4 .8
D 20.80 21.46
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
TO-3P (IXTQ) Outline
e
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
.140 .144
0.232 0.252
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
.170 .216
242 BSC
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ62N15P | MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P |
| IXTQ75N10P | MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P |
| IXTQ80N28T | MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P |
| IXTQ86N20T | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P |
| IXTQ90N15T | MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ52N30P | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ60N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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