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参数资料
| 型号： | IXTQ50N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA50N25T IXTQ50N25T
IXTP50N25T IXTH50N25T
26
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
26
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
25
R G = 3.3 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
25
T J = 25oC
24
24
23
22
I
D
= 25A
23
R G = 3.3 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
21
20
I
D
= 50A
22
21
T J = 125oC
19
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
15
20
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
38
25
28
62
34
30
26
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
I D = 25A, 50A
23
21
19
27
26
25
24
23
I D = 25A
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
60
58
56
54
52
22
I D = 50A
50
22
18
17
15
21
20
19
48
46
44
14
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
13
18
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
42
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
30
66
100
220
28
26
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
T J = 25oC
62
58
90
80
70
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
I D = 25A, 50A
200
180
160
24
22
20
T J = 25oC
T J = 125oC
54
50
46
60
50
40
140
120
100
30
80
18
16
T J = 125oC
42
38
20
10
60
40
15
20
25
30
35
40
45
50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
R G - Ohms
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_50N25T(5G)01-26-10-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ62N15P | MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P |
| IXTQ75N10P | MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P |
| IXTQ80N28T | MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P |
| IXTQ86N20T | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P |
| IXTQ90N15T | MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ52N30P | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ60N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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