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参数资料
| 型号： | IXTQ62N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA 62N15P IXTP 62N15P
IXTQ 62N15P
120
105
90
Fig. 7. Input Adm ittance
36
32
28
Fig. 8. Transconductance
75
60
45
24
20
16
12
T J = -40oC
25oC
150oC
30
15
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
8
4
0
5
6
7
8
9
10
11
0
15
30
45
60
75
90
105 120 135 150
180
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 75V
150
120
90
8
7
6
5
4
I D = 31A
I G = 10mA
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
10
20 30 40 50
Q G - nanoCoulombs
60
70
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 175oC
C iss
100
R DS(on) Limit
T C = 25oC
25μs
1000
C oss
100μs
1ms
100
C rss
10
1
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ75N10P | MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P |
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| IXTQ86N20T | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P |
| IXTQ90N15T | MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ62N25T | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ64N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET |
| IXTQ64N25P | 功能描述:MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ69N30 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET |
| IXTQ69N30P | 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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