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参数资料
| 型号： | IXTT100N25P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTK 100N25P IXTQ 100N25P
IXTT 100N25P
100
Fig. 1. Output Char acte r is tics
@ 25 o C
250
Fig. 2. Exte nde d Output Char acte ris tics
@ 25 o C
90
80
70
60
50
40
30
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
225
200
175
150
125
100
75
V GS = 10V
9V
8V
7V
20
10
0
5V
50
25
0
6V
0
0.5
1
1.5 2
V DS - V olts
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8 10 12
V DS - V olts
14
16
18
20
100
Fig. 3. Output Characte r is tics
@ 125 o C
2.8
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
90
80
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
V GS = 10V
I D = 100A
40
30
20
10
0
6V
5V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D = 50A
0
1
2
3 4
V DS - V olts
5
6
7
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
Fig. 6. Dr ain Cur r e nt vs . Cas e
3.4
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.5 I D25 V alue vs . I D
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Te m pe r ature
External Lead C urrent Lim it
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I D - A mperes
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT110N10P | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 |
| IXTT120N15P | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| IXTT16P60P | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 |
| IXTT170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 |
| IXTT1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT10N100D | 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT10N100D2 | 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT10P50 | 功能描述:MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT10P60 | 功能描述:MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT110N10L2 | 功能描述:MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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