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参数资料
| 型号： | IXTT100N25P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 185nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTK 100N25P IXTQ 100N25P
IXTT 100N25P
150
Fig. 7. Input Adm ittance
90
80
Fig. 8. Trans conductance
125
100
70
60
T J = -40oC
25oC
125oC
50
75
40
50
25
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V GS - V olts
Fig. 9. Source Cur r e nt vs .
Sour ce -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 125V
I D = 50A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V SD - V olts
1.2
1.4
0
20
40
60 80 100 120 140 160 180 200
Q G - nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. For w ar d-Bias
Safe Ope r ating Are a
C is s
100
R DS (on) Lim it
1m s
100μs
T J = 150oC
T C = 25oC
25μs
1000
100
f = 1MH z
C os s
C rs s
10
1
DC
10m s
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
10
100
V DS - V olts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT110N10P | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 |
| IXTT120N15P | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| IXTT16P60P | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 |
| IXTT170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 |
| IXTT1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT10N100D | 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT10N100D2 | 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT10P50 | 功能描述:MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT10P60 | 功能描述:MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT110N10L2 | 功能描述:MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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