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参数资料
| 型号： | IXTT110N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 110N10P
IXTT 110N10P
110
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
220
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
100
90
80
V GS = 10V
9V
200
180
160
V GS = 10V
9V
70
60
50
40
30
20
10
0
8V
7V
6V
5V
140
120
100
80
60
40
20
0
8V
7V
6V
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1 1.2
V D S - Volts
1.4
1.6
1.8
2
0
1
2
3
4 5 6
V D S - Volts
7
8
9
10
110
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
2.4
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10V
I D = 110A
I D = 55A
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V D S - Volts
3
3.5
4
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
3
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
80
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
2.6
70
External Lead Current Limit
2.4
2.2
2
T J = 175 o C
60
50
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 15V
V GS = 10V
T J = 25 o C
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
I D - Amperes
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT120N15P | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| IXTT16P60P | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 |
| IXTT170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 |
| IXTT1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 |
| IXTT20N50D | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT11P50 | 功能描述:MOSFET 11 Amps 500V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT11P50 T/R | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXTT120N15P | 功能描述:MOSFET POLAR HT MOSFET 150V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT12N140 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT12N150 | 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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