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参数资料
| 型号： | IXTT120N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 120N15P
IXTT 120N15P
120
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
280
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
100
80
V GS = 10V
9V
8V
240
200
V GS = 10V
9V
160
60
40
20
0
7V
6V
5V
120
80
40
0
8V
7V
6V
0
0.5
1 1.5
V D S - Volts
2
2.5
0
1
2
3
4 5 6
V D S - Volts
7
8
9
10
120
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
2.8
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
100
V GS = 10V
9V
8V
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
80
60
40
7V
6V
2
1.8
1.6
1.4
I D = 120A
I D = 60A
1.2
20
0
5V
1
0.8
0.6
0
1
2 3
V D S - Volts
4
5
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
4
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
90
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.5
T J = 175 o C
80
External Lead Current Limit
70
3
2.5
60
50
2
1.5
1
0.5
V GS = 15V
V GS = 10V
T J = 25 o C
40
30
20
10
0
0
30
60
90
120 150 180 210 240 270 300
I D - Amperes
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2005 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT16P60P | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 |
| IXTT170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 |
| IXTT1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 |
| IXTT20N50D | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 |
| IXTT26N50P | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT12N140 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT12N150 | 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT140N10P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT140P10T | 功能描述:MOSFET P-Channel: Standard MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT16N10D2 | 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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