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参数资料
| 型号： | IXTT64N25P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 64A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 64N25P
IXTT 64N25P
120
Fig. 7. Input Adm ittance
60
Fig. 8. Trans conductance
105
90
75
60
50
40
30
T J = -40oC
25oC
125oC
45
30
15
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
180
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
9
V DS = 125V
150
120
90
8
7
6
5
4
I D = 32A
I G = 10m A
60
30
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - V olts
1.2
1.4
0
10
20
30
Q
40 50 60 70 80
G - nanoCoulombs
90 100 110
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MH z
1000
Fig. 12. For w ard-Bias
Safe Ope rating Are a
T J = 150oC
C iss
R DS(on) Lim it
T C = 25oC
100
25μs
1000
C oss
10m s
1m s
100μs
C rs s
10
DC
100
1
0
5
10
15 20 25
V D S - V olts
30
35
40
10
100
V D S - V olts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
| IXTT74N20P | MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 |
| IXTT75N10L2 | MOSFET N-CH 100V 75A TO268 |
| IXTT75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-268 |
| IXTT88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT68P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT69N30P | 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT6N120 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT6N150 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
| IXTT72N20 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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