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参数资料
型号： IXTT64N25P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
标准包装： 30
系列： PolarHT™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 64A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 49 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 3450pF @ 25V
功率 - 最大： 400W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装： TO-268
包装： 管件
IXTQ 64N25P
IXTT 64N25P
Fig. 13. M axim um Trans ie nt The rm al Re s is tance
1.00
0.10
0.01
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料
PDF描述
IXTT69N30P MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
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IXTT88N30P MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTT68P20T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT69N30P 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT6N120 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT6N150 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTT72N20 功能描述:MOSFET 72 Amps 200 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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