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参数资料
| 型号： | IXTU2N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-251 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | TO-251 |
| 包装： | 管件 |
IXTA2N80P
IXTU2N80P
IXTP2N80P
IXTY2N80P
2
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
3.5
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
8V
7V
3
2.5
2
V GS = 10V
7V
6V
1
0.8
0.6
6V
1.5
1
5V
0.4
0.5
0.2
5V
0
0
0
2
4
6
8
10
12
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
2
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = 10V
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 1A Value vs.
Junction Temperature
1.8
7V
2.8
V GS = 10V
1.6
1.4
1.2
1
6V
2.4
2
I D = 2A
0.8
0.6
1.6
1.2
I D = 1A
0.4
0.8
0.2
0
5V
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 1A Value vs.
Drain Current
2.2
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2
V GS = 10V
T J = 125oC
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1.8
1
1.6
1.4
0.8
0.6
1.2
1
0.8
T J = 25oC
0.4
0.2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTV03N400S | MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTU44N10T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTU50N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTU55N075T | 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTU5N50P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 500V 1.4 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTU64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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