- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录465 > IXTV03N400S (IXYS)MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTV03N400S |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 4000V（4kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
Preliminary Technical Information
High Voltage
Power MOSFETs
IXTH03N400
IXTV03N400S
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
4000V
300mA
290 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
TO-247 (IXTH)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
4000
4000
V
V
G
D
S
D (Tab)
V GSS
Continuous
± 20
V
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
± 30
300
800
V
mA
mA
PLUS220SMD (IXTV_S)
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
130
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
G
S
D (Tab)
D = Drain
Tab = Drain
M d
F C
Mounting Torque (TO-247)
Mounting Force (PLUS220)
1.13 / 10
11..65 / 25..14.6
Nm/lb.in.
N/lb.
Weight
PLUS220
TO-247
4
6
g
g
Features
International Standard Packages
Fast Intrinsic Rectifier
Molding Epoxies meet UL 94 V-0
Flammability Classification
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
4000 V
2.0 4.0 V
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = 0.8 ? V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
± 100 nA
10 μ A
750 μ A
290 Ω
Applications
High Voltage Power Supplies
Capacitor Discharge
Pulse Circuits
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100214A(04/12)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTV110N25TS | MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD |
| IXTV18N60PS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
| IXTV200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 |
| IXTV22N50PS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD |
| IXTV22N60PS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV102N20T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV102N25T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV110N25TS | 功能描述:MOSFET 110 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV120N15T | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。