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参数资料
| 型号： | IXTV03N400S |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 4000V（4kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
IXTH03N400
IXTV03N400S
300
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
700
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
250
V GS = 10V
6V
600
500
V GS = 10V
6V
200
5V
400
150
300
100
200
5V
50
0
4V
100
0
4V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
50
100
150
200
250
300
350
400
300
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 150mA Value
vs. Junction Temperature
250
V GS = 10V
6V
2.6
V GS = 10V
2.2
200
5V
I D = 300mA
1.8
150
1.4
I D = 150mA
100
50
0
4V
3V
1.0
0.6
0.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 150mA Value
vs. Drain Current
350
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
T J = 125oC
300
250
200
150
100
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
50
0
0
100
200
300
400
500
600
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - MilliAmperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTV110N25TS | MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD |
| IXTV18N60PS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV102N20T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV102N25T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV110N25TS | 功能描述:MOSFET 110 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV120N15T | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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