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参数资料
| 型号： | IXTV03N400S |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 4000V（4kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
IXTH03N400
IXTV03N400S
350
Fig. 7. Input Admittance
400
Fig. 8. Transconductance
300
250
350
300
250
T J = - 40oC
25oC
200
150
100
50
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
200
150
100
50
0
125oC
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
50
100
150
200
250
300
V GS - Volts
I D - MilliAmperes
900
800
700
600
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
9
8
7
V DS = 1000V
I D = 150mA
I G = 1mA
Fig. 10. Gate Charge
6
500
5
400
300
4
3
200
100
0
T J = 125oC
T J = 25oC
2
10.0 1
0
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
1,000
Ciss
2.0
1.0
adad
100
Coss
10
Crss
f = 1 MHz
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_03N400(3P)10-27-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTV110N25TS | MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD |
| IXTV18N60PS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD |
| IXTV200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220 |
| IXTV22N50PS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD |
| IXTV22N60PS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV102N20T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV102N25T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV110N25TS | 功能描述:MOSFET 110 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV120N15T | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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